型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
-
![]()
品类: TVS二极管描述: 碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky Diode98391+￥41.847210+￥39.4462100+￥37.6625250+￥37.3881500+￥37.11371000+￥36.80502500+￥36.53065000+￥36.3591 -
![]()
品类: TVS二极管描述: 碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky Diode54421+￥39.364510+￥37.1059100+￥35.4281250+￥35.1699500+￥34.91181000+￥34.62142500+￥34.36335000+￥34.2020 -
![]()
品类: TVS二极管描述: INFINEON IDW40E65D1FKSA1 快速/超快功率二极管, 单, 650 V, 40 A, 1.35 V, 77 ns, 320 A240610+￥11.9448100+￥11.3476500+￥10.94941000+￥10.92952000+￥10.84995000+￥10.75037500+￥10.670710000+￥10.6309 -
![]()
品类: TVS二极管描述: 二极管 - 通用，功率，开关 IGBT PRODUCTS82605+￥14.999450+￥14.3584200+￥13.9994500+￥13.90971000+￥13.82002500+￥13.71745000+￥13.65337500+￥13.5892 -
![]()
品类: 肖特基二极管描述: INFINEON IDW20G65C5FKSA1 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-24790451+￥58.041510+￥54.7113100+￥52.2374250+￥51.8568500+￥51.47621000+￥51.04802500+￥50.66745000+￥50.4295 -
![]()
品类: TVS二极管描述: Infineon **Infineon** 开关发射器控制二极管是快速 1和快速 2系列，还有 600V/1200V 超软二极管。 这些二极管可在各种应用中工作，如电信、UPS、焊接和交流-直流，超软型号可在高达 30kHz 的电动机驱动应用中工作 _**快速 1 **_二极管可在 18kHz 与 40kHz 之间切换 1.35V 温度稳定的正向电压 特别适用于功率因数校正 (PFC) 拓扑 **_快速 2 二极管_**可在 40kHz 与 100kHz 之间切换 低反向恢复电荷:正向电压比，确保 BiC 性能 短反向恢复时间 启动开关上低开启损耗 _**超快二极管**_ 600V/1200V 发射器控制技术 符合 JEDEC 标准 良好的 EMI 行为 低传导损耗 易于并联 ### 二极管和整流器，Infineon420610+￥9.9228100+￥9.4267500+￥9.09591000+￥9.07942000+￥9.01325000+￥8.93057500+￥8.864410000+￥8.8313 -
![]()
品类: 肖特基二极管描述: thinQ! 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，Infineon Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。碳化硅肖特基二极管设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势，如提高击穿电场强度和增强导热性，从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器，Infineon84721+￥41.849710+￥39.4485100+￥37.6647250+￥37.3903500+￥37.11581000+￥36.80712500+￥36.53275000+￥36.3612 -
![]()
品类: TVS二极管描述: 快速/超快二极管, 650 V, 20 A, 双共阴极, 2.2 V, 30 ns, 60 A63295+￥21.893050+￥20.9574200+￥20.4335500+￥20.30251000+￥20.17152500+￥20.02185000+￥19.92837500+￥19.8347 -
![]()
品类: 功率二极管描述: IDW20G120C5B 系列 1200 V 62A 第5代 ThinQ!™SiC 肖特基 二极管-TO-247-368131+￥55.381910+￥52.2043100+￥49.8437250+￥49.4806500+￥49.11741000+￥48.70882500+￥48.34575000+￥48.1187 -
![]()
品类: TVS二极管描述: INFINEON IDP08E65D1XKSA1 标准功率二极管, 单, 650 V, 8 A, 1.35 V, 51 ns, 64 A46775+￥4.656225+￥4.311350+￥4.0698100+￥3.9664500+￥3.89742500+￥3.81115000+￥3.776710000+￥3.7249 -
![]()
品类: 肖特基二极管描述: thinQ!™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，Infineon Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效，且在 1200 V 操作时无损耗。 碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能，如更高的击穿电场强度和导热性，可提供更高效率水平。 此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器，Infineon88095+￥5.493225+￥5.086350+￥4.8014100+￥4.6794500+￥4.59802500+￥4.49625000+￥4.455610000+￥4.3945 -
![]()
品类: TVS二极管描述: IDH20G65C5 系列 650V 20A 第5代 thinQ!™ SiC 肖特基 二极管-PG-TO-220-235551+￥53.394510+￥50.3309100+￥48.0551250+￥47.7049500+￥47.35481000+￥46.96092500+￥46.61085000+￥46.3920 -
![]()
品类: 功率二极管描述: IDH05G120C5 系列 1200 V 5 A 第5代 ThinQ!™ SiC 肖特基 二极管-TO-220-257215+￥18.277750+￥17.4966200+￥17.0592500+￥16.94991000+￥16.84052500+￥16.71555000+￥16.63747500+￥16.5593 -
![]()
品类: 功率二极管描述: IDH10G120C5 系列 1200 V 10 A 第5代 ThinQ!™SiC 肖特基 二极管-TO-220-230195+￥25.203050+￥24.1259200+￥23.5228500+￥23.37201000+￥23.22122500+￥23.04895000+￥22.94127500+￥22.8335 -
![]()
品类: TVS二极管描述: 第二代的thinQ ！ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode27105+￥33.269050+￥31.8472200+￥31.0510500+￥30.85201000+￥30.65292500+￥30.42555000+￥30.28337500+￥30.1411 -
![]()
品类: TVS二极管描述: 肖特基二极管与整流器 SIC DIODES80781+￥49.584510+￥46.7395100+￥44.6260250+￥44.3009500+￥43.97571000+￥43.60992500+￥43.28485000+￥43.0816 -
![]()
品类: TVS二极管描述: INFINEON IDH04G65C5 二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220473910+￥7.3956100+￥7.0258500+￥6.77931000+￥6.76702000+￥6.71775000+￥6.65607500+￥6.606710000+￥6.5821 -
![]()
品类: TVS二极管描述: 第二代的thinQ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode396510+￥6.1224100+￥5.8163500+￥5.61221000+￥5.60202000+￥5.56125000+￥5.51027500+￥5.469310000+￥5.4489 -
![]()
品类: 肖特基二极管描述: thinQ!™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，Infineon Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效，且在 1200 V 操作时无损耗。 碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能，如更高的击穿电场强度和导热性，可提供更高效率水平。 此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器，Infineon64925+￥26.110950+￥24.9950200+￥24.3702500+￥24.21391000+￥24.05772500+￥23.87925000+￥23.76767500+￥23.6560 -
![]()
品类: TVS二极管描述: 第三代的thinQ ！ TM SiC肖特基二极管 3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode64905+￥20.916150+￥20.0222200+￥19.5217500+￥19.39651000+￥19.27142500+￥19.12845000+￥19.03907500+￥18.9496 -
![]()
品类: TVS二极管描述: thinQ!™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，Infineon Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效，且在 1200 V 操作时无损耗。 碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能，如更高的击穿电场强度和导热性，可提供更高效率水平。 此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器，Infineon54905+￥27.700950+￥26.5171200+￥25.8542500+￥25.68851000+￥25.52272500+￥25.33335000+￥25.21497500+￥25.0966 -
![]()
品类: TVS二极管描述: INFINEON IDH08SG60C 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-22087135+￥17.582850+￥16.8314200+￥16.4106500+￥16.30541000+￥16.20022500+￥16.08005000+￥16.00487500+￥15.9297 -
![]()
品类: TVS二极管描述: thinQ!™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，Infineon Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效，且在 1200 V 操作时无损耗。 碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能，如更高的击穿电场强度和导热性，可提供更高效率水平。 此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器，Infineon315010+￥7.4124100+￥7.0418500+￥6.79471000+￥6.78232000+￥6.73295000+￥6.67127500+￥6.621710000+￥6.5970 -
![]()
品类: 肖特基二极管描述: thinQ!™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，Infineon Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效，且在 1200 V 操作时无损耗。 碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能，如更高的击穿电场强度和导热性，可提供更高效率水平。 此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器，Infineon78895+￥19.479350+￥18.6469200+￥18.1807500+￥18.06421000+￥17.94762500+￥17.81445000+￥17.73127500+￥17.6479 -
![]()
品类: TVS二极管描述: INFINEON IDW16G65C5 二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 16 A, 23 nC, TO-24739285+￥13.400050+￥12.8274200+￥12.5067500+￥12.42651000+￥12.34632500+￥12.25475000+￥12.19747500+￥12.1402 -
![]()
品类: 小信号二极管描述: 快速开关EMCON二极管 Fast Switching EmCon Diode72185+￥14.326750+￥13.7144200+￥13.3715500+￥13.28581000+￥13.20012500+￥13.10225000+￥13.04097500+￥12.9797 -
![]()
品类: 肖特基二极管描述: INFINEON IDP40E65D2 标准功率二极管, 单, 650 V, 40 A, 1.6 V, 36 ns, 250 A543410+￥11.5716100+￥10.9930500+￥10.60731000+￥10.58802000+￥10.51095000+￥10.41447500+￥10.337310000+￥10.2987 -
![]()
品类: TVS二极管描述: 快速/超快二极管, 650 V, 28 A, 单, 1.7 V, 42 ns, 120 A19185+￥5.369025+￥4.971350+￥4.6929100+￥4.5736500+￥4.49402500+￥4.39465000+￥4.354810000+￥4.2952 -
![]()
品类: 小信号二极管描述: 标准恢复二极管, 650 V, 150 A, 单, 1.7 V, 108 ns, 580 A81025+￥22.815050+￥21.8400200+￥21.2940500+￥21.15751000+￥21.02102500+￥20.86505000+￥20.76757500+￥20.6700
